Lebenslauf

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• Gründung Dr.-Ing. Christian Scheibe Project Management (2009)
  Unterstützung von Entwicklungs- und Technologie-Transferprojekten im Hochtechnologiebereich (speziell Halbleiterfertigungen)
  Auswahl von Interim Projekten (mehr auf Anfrage)
  -Optimierung eines 32/28nm high-k metal-gate Foundry-Prozesses bei
    GLOBALFOUNDRIES Dresden Module Two LLC
  -CMOS-Logik Technologie und Produkttransfer zur Grace Semiconductor
    Manufacturing Corporation, Shanghai/ China
• Koordination der Innovationsprojekte für die Technologie- und Produktentwicklung DRAM Speicher; Qimonda AG, München (2008-09)
• Projekt-Management und Entwicklung der 75nm Mobile DRAM Generation
  Qimonda AG, München (2006-08)
  
• Projekt-Management und Entwicklung der 90 & 75nm DRAM Technologien mit den Leitprodukten 512M und 1G in Kooperation mit Nanya Technologies, Taiwan
  Infineon Technologies AG, Dresden (2002-06)
  
• Projekt-Management und Entwicklung eines nichtflüchtigen Speicherbausteins (32M FeRAM) in Kooperation mit Toshiba Semiconductor Corp.
  Infineon Technologies Japan K.K., Yokohama/ Japan (2000-02)
• Produkttechnik Experte: Knowhow Transfer, Produkteinführung und Hochlauf des 256M DRAM Speichers in der 200mm Produktion Dresden
  Siemens Microelectronics Center OHG, Dresden (1997-99)
• Entwicklungsingenieur im Bereich Device Design und Charakterisierung für 0.25um DRAM Speicher in Kooperation mit IBM und Toshiba Semiconductor Corp.
  Siemens Components Inc., New York/ USA (1995-96) 
• Promotion zum Dr.-Ing.: "Design und Realisierung eines kapazitiven Gassensorelementes mit integrierter Heizung bis 450°C"
  Technische Universität Berlin, Fachbereich Elektrotechnik, Forschungsschwerpunkt Mikroperipherik (1996)
• Wissenschaftlicher Mitarbeiter an einem Entwicklungsprojekt für mikro-strukturierte katalytische Chemosensoren für die Fa. Dornier, Friedrichshafen
  Technische Universität Berlin, Fachbereich Elektrotechnik, Forschungsschwerpunkt Mikroperipherik (1991-94)    
• Studium der Elektrotechnik zum Dipl.-Ing. (Schwerpunkt Halbleiterphysik / Elektronik); Diplomarbeit am Heinrich-Hertz-Institut Berlin "Herstellung und Charakterisierung MBE gewachsener SQW-HFETs"
  Technische Universität Berlin, FB Elektrotechnik (1985-91)  
• Abitur (LK Mathematik und Latein, Prüfungsfach Physik), Berlin (1978-84)
  Erich-Hoepner-Oberschule (jetzt Heinz-Berggruen-Gymnasium) 
• Grundschule in Berlin (1972-78) 
• geboren am 29.7.1965 in Berlin

Eine Übersicht meiner wissenschaftlichen Publikationen finden Sie bitte hier.

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